本文將回顧材料供應商如何投入大量資源來提供符合市場需求的材料，同時再次強調封裝技術的開發。

內含矽質材料的電力電子設備必須在125℃以下工作，IGBT必須在150℃以下工作，未來的矽器件可以將工作溫度擴大到200℃。電力電子設備的熱管理需要使用介面導熱材料（TIM）將封裝元器件與散熱片相連。

漢高開發了一種可訂製的有機矽平臺，可在材料應用中利用廣製程範圍來改變流變性、模量和顏色等關鍵屬性，確保穩定的功能和更優的長期可靠性。

在這篇技術文章中，漢高介紹了元件尺寸和類型、範本設計規則和錫膏特性之間的關係對片式元件間球化的研究結果。

漢高開發出一種無鉛、無鹵錫膏，它在26.5℃下可穩定保存一年，在40℃下可穩定保存一個月。

覆晶(Flip Chip)組裝中的機械應力仍然是可靠性和扁平元件組裝到緊接著的板級組裝所面臨的重大問題。

本文將重點介紹導電晶片貼裝薄膜（cDAF）技術的可靠性測試，特別是1x1mm2至10x10mm2的晶片應用。

漢高與合作夥伴聯合開發了90iSC的新型高可靠性合金，其熔點相當於標準SAC合金，並且能夠在高溫下工作。