이 보고서에서는 최근 다시금 부각되고 있는 패키징 기술 개발방향에 부합하는 상용화 재료를 구현하기 위해 재료 공급업체들이 어떻게 집중적인 투자를 해왔는지를 살펴봅니다.

실리콘 소자를 기반으로 하는 전력전자 제품은 125°C 미만에서만 사용해야 하고, IGBT의 경우에도 150°C를 넘지 않아야 합니다. 그러나 미래의 탄화규소(SiC) 소자는 이 온도 한계를 200°C로 확장하게 됩니다. 전력전자 제품의 열관리를 위해서는 방열재료(TIM)를 사용해 패키지를 히트 싱크(heat sink)에 부착시켜야 합니다.

헨켈은 계수, 모듈러스, 색상 등 주요 특성의 변경이 가능하고 재료 사용 시 긴 공정 윈도우를 제공하여 견고한 기능과 장기 신뢰성 향상을 실현하는 맞춤형 실리콘 플랫폼을 개발했습니다.

이 기술 자료에서는 부품 크기 및 유형, 스텐실 설계 규칙, 솔더 페이스트 특성과 미드칩 볼링(mid-chip balling) 발생 간의 관계에 대한 헨켈의 연구 결과를 소개합니다.

공정 효율 향상을 위해 개발된 에폭시 플럭스 언더필 제품은 솔더조인트 형성을 돕는 플럭싱 컴포넌트를 실현하고 돌출된 각 부위를 캡슐화하여 소자 보호를 강화합니다.

플랫 부품의 보드레벨 어셈블리에 있어서 신뢰성을 확보하는 데 플립칩의 메카니컬 스트레스가 주요 이슈 중 하나입니다.

이 글에서는 1x1 mm2 ~ 10x10 mm2의 다이를 대상으로 한 전도성 다이 접착 필름(cDAF) 기술의 신뢰성 시험에 대해 다룹니다.

헨켈이 새롭게 선보이는 버퀴스트 갭 패드 재료 GAP PAD HC 5.0은 차세대 고출력 밀도 장치 분야에서 날로 증가하는 저응력 재료에 대한 요구를 충족시키기 위해 완전히 새로운 화학 플랫폼과 당사 고유의 필러 기술을 기반으로 개발되었습니다.